FD150R12RT4HOSA1 SP000711858 Infineon IGBT-Modul IGBT 1200V 150A
FD150R12RT4
Hersteller: Infineon
Produkt-Art: IGBT-Module
Konfiguration: Einzeln
Kollektor-Emitter maximale Spannung VCEO: 1,2 KV
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung: 2,15 V
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C: 150 A
Tor-Emitterdurchsickernstrom: Na 100
PD-Energieableitung: 790 W
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Paket: Behälter
Maximale Spannung des Tors/des Emitters: 20 V
Installationsart: SMD/SMT
Reihe: Graben/Fieldstop IGBT4
Verpackende Quantität: 10 PCS
Unterkategorie: IGBTs
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