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3 Phase IGBT Inverter Module Low Power F3L75R12W1H3_B27 SP001056132

3 Inverter-Modul-geringe Energie F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 der Phasen-IGBT

  • Markieren

    3 Inverter-Modul der Phasen-IGBT

    ,

    IGBT-Inverter-Modul-geringe Energie

    ,

    F3L75R12W1H3_B27

  • Infineon
    F3L75R12W1H3_B27
  • Konfiguration
    3-phasiger Inverter
  • Kollektor-Emitter maximale Spannung VCEO
    1,2 KV
  • Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung
    1,45 V
  • Ununterbrochener Kollektorstrom an 25C
    45 A
  • Tor-Emitterdurchsickernstrom
    Na 100
  • PD-Energieableitung
    275 W
  • Minimale Betriebstemperatur
    -40℃
  • Maximale Betriebstemperatur
    +150℃
  • Verpacken
    24 PC
  • Herkunftsort
    Deutschland
  • Markenname
    Infineon
  • Modellnummer
    F3L75R12W1H3_B27
  • Min Bestellmenge
    1pcs
  • Preis
    Bargain
  • Verpackung Informationen
    Behälter
  • Lieferzeit
    48hours
  • Zahlungsbedingungen
    L/C, T/T
  • Versorgungsmaterial-Fähigkeit
    500 PCS+48hours

3 Inverter-Modul-geringe Energie F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 der Phasen-IGBT

 

F3L75R12W1H3_B27        SP001056132     Infineon   IGBT-Modul GERINGE ENERGIE EINFACH

F3L75R12W1H3B27BOMA1

 

 

Hersteller: Infineon
Produkt-Art: IGBT-Module
Konfiguration: 3-phasiger Inverter
Kollektor-Emitter maximale Spannung VCEO: 1,2 KV
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung: 1,45 V
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C: 45 A
Tor-Emitterdurchsickernstrom: Na 100
PD-Energieableitung: 275 W
Paket/Kasten: EasyPack1B
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Paket: Behälter
Maximale Spannung des Tors/des Emitters: 20 V
Reihe: Hochgeschwindigkeits-IGBT H3
Verpackende Quantität: 24 PCS
Unterkategorie: IGBTs
Technologie: Si

 

 

3 Inverter-Modul-geringe Energie F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 der Phasen-IGBT 03 Inverter-Modul-geringe Energie F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 der Phasen-IGBT 1