F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 Infineon IGBT-Modul GERINGE ENERGIE EINFACH
F3L75R12W1H3B27BOMA1
Hersteller: Infineon
Produkt-Art: IGBT-Module
Konfiguration: 3-phasiger Inverter
Kollektor-Emitter maximale Spannung VCEO: 1,2 KV
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung: 1,45 V
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C: 45 A
Tor-Emitterdurchsickernstrom: Na 100
PD-Energieableitung: 275 W
Paket/Kasten: EasyPack1B
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Paket: Behälter
Maximale Spannung des Tors/des Emitters: 20 V
Reihe: Hochgeschwindigkeits-IGBT H3
Verpackende Quantität: 24 PCS
Unterkategorie: IGBTs
Technologie: Si