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200A 1700V High Power IGBT Module / FF200R17KE4HOSA1 SP000713374

Modul hoher Leistung IGBT 200A 1700V/FF200R17KE4HOSA1 SP000713374

  • Markieren

    1700V Modul der hohen Leistung IGBT

    ,

    200A Modul der hohen Leistung IGBT

    ,

    FF200R17KE4HOSA1

  • Infineon
    FF200R17KE4HOSA1
  • Konfiguration
    Doppel
  • Kollektor-Emitter maximale Spannung VCEO
    1,7 KV
  • Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung
    1,95 V
  • Ununterbrochener Kollektorstrom an 25C
    310 A
  • Tor-Emitterdurchsickernstrom
    Na 100
  • PD-Energieableitung
    W 1250
  • Minimale Betriebstemperatur
    -40℃
  • Maximale Betriebstemperatur
    +150℃
  • Verpacken
    10 PC
  • Herkunftsort
    Deutschland
  • Markenname
    Infineon
  • Modellnummer
    FF200R17KE4HOSA1
  • Min Bestellmenge
    1pcs
  • Preis
    Bargain
  • Verpackung Informationen
    Behälter
  • Lieferzeit
    48hours
  • Zahlungsbedingungen
    L/C, T/T
  • Versorgungsmaterial-Fähigkeit
    500 PCS+48hours

Modul hoher Leistung IGBT 200A 1700V/FF200R17KE4HOSA1 SP000713374

 

FF200R17KE4HOSA1 SP000713374   Infineon    Hohe Leistung des IGBT-Modul-IGBT Modul-200A 1700V

FF200R17KE4

 

Hersteller: Infineon
Produkt-Art: IGBT-Module
Konfiguration: Doppel
Kollektor-Emitter maximale Spannung VCEO: 1,7 KV
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung: 1,95 V
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C: 310 A
Tor-Emitterdurchsickernstrom: Na 100
PD-Energieableitung: W 1250
Paket/Kasten: 62 Millimeter
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Paket: Behälter
Maximale Spannung des Tors/des Emitters: 20 V
Befestigung von Art: Fahrgestelle-Berg
Reihe: Trenchstop IGBT4 - E4
Verpackende Quantität: 10 PCS
Unterkategorie: IGBTs
Technologie: Si

 

 

Modul hoher Leistung IGBT 200A 1700V/FF200R17KE4HOSA1 SP000713374 0Modul hoher Leistung IGBT 200A 1700V/FF200R17KE4HOSA1 SP000713374 1