FF200R17KE4HOSA1 SP000713374 Infineon Hohe Leistung des IGBT-Modul-IGBT Modul-200A 1700V
FF200R17KE4
Hersteller: Infineon
Produkt-Art: IGBT-Module
Konfiguration: Doppel
Kollektor-Emitter maximale Spannung VCEO: 1,7 KV
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung: 1,95 V
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C: 310 A
Tor-Emitterdurchsickernstrom: Na 100
PD-Energieableitung: W 1250
Paket/Kasten: 62 Millimeter
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Paket: Behälter
Maximale Spannung des Tors/des Emitters: 20 V
Befestigung von Art: Fahrgestelle-Berg
Reihe: Trenchstop IGBT4 - E4
Verpackende Quantität: 10 PCS
Unterkategorie: IGBTs
Technologie: Si