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STGWA20H65DFB2 ST Transistor 20 A High Speed HB2 Series IGBT TO-247

STGWA20H65DFB2 ST Transistor 20 A Hochgeschwindigkeits-HB2-Serie IGBT TO-247

  • Markieren

    Hochgeschwindigkeitstransistoren der Serie HB2

    ,

    TO-247 IGBT-Transistor

    ,

    StgWA20H65DFB2 ST-Transistor

  • STMikroelektronik
    STGWA20H65DFB2
  • Verkapselung
    TO-247
  • Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung
    1.65V
  • Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C
    40A
  • Pd - Energieverschwendung
    147 W
  • Verpackende Quantität
    600 STK
  • Herkunftsort
    Italien
  • Markenname
    STMicroelectronics
  • Modellnummer
    STGWA20H65DFB2
  • Min Bestellmenge
    1 PCS
  • Preis
    Negotiated Price
  • Verpackung Informationen
    Schlauch
  • Lieferzeit
    24-72hours
  • Zahlungsbedingungen
    T/T, L/C
  • Versorgungsmaterial-Fähigkeit
    12000 PCS+48hours

STGWA20H65DFB2 ST Transistor 20 A Hochgeschwindigkeits-HB2-Serie IGBT TO-247

 

STGWA20H65DFB2 ST Transistor 20 Eine Hochgeschwindigkeits-HB2-Serie IGBT TO-247

 

 

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBT-Transistoren
Technologie: Si
Paket/Fall: TO-247-3
Montage: Durch ein Loch
Konfiguration: Einfach
Höchstspannung des Sammlers: 650 V
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung: 1,65 V
Höchstspannung des Tores/Emitters: - 20 V, 20 V
Dauerkollektorstrom bei 25 C: 40 A
Pd-Leistungsauflösung: 147 W
Mindestbetriebstemperatur: - 55 °C
Höchstbetriebstemperatur: + 175 °C
Verpackung: Rohr
Marke: STMicroelectronics
Durchlässigkeit des Tor-Emitters: 250 nA
Typ der Ware: IGBT-Transistoren
Paket Menge: 600 Stück
Unterkategorie: IGBT
Einheitsgewicht: 6,100 g

 

 

STGWA20H65DFB2 ST Transistor 20 A Hochgeschwindigkeits-HB2-Serie IGBT TO-247 0

STGWA20H65DFB2 ST Transistor 20 A Hochgeschwindigkeits-HB2-Serie IGBT TO-247 1