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STGW15H120DF2 ST IGBT Transistor 15A High Speed  TO-247

STGW15H120DF2 ST IGBT-Transistor 15A Hochgeschwindigkeits-TO-247

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    StgW15H120DF2 ST IGBT-Transistor

    ,

    TO-247 IGBT-Transistor

    ,

    15A IGBT-Transistor

  • STMikroelektronik
    Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeu
  • Verkapselung
    TO-247
  • Kollektor-Emitter maximale Spannung VCEO
    1,2 KV
  • Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung
    2,1 V
  • Pd - Energieverschwendung
    259 W
  • Verpackende Quantität
    600 STK
  • Herkunftsort
    Italien
  • Markenname
    STMicroelectronics
  • Modellnummer
    Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeu
  • Min Bestellmenge
    1 PCS
  • Preis
    Negotiated Price
  • Verpackung Informationen
    Schlauch
  • Lieferzeit
    24-72hours
  • Zahlungsbedingungen
    T/T, L/C
  • Versorgungsmaterial-Fähigkeit
    12000 PCS+48hours

STGW15H120DF2 ST IGBT-Transistor 15A Hochgeschwindigkeits-TO-247

 

STGW15H120DF2 ST IGBT-Transistor 15A mit hoher Geschwindigkeit TO-247

 

 

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBT-Transistoren
Technologie: Si
Paket/Fall: TO-247-3
Montage: Durch ein Loch
Konfiguration: Einfach
Höchstspannung VCEO: 1,2 kV
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung: 2,1 V
Höchstspannung des Tores/Emitters: - 20 V, 20 V
Dauerkollektorstrom bei 25 C: 30 A
Pd-Leistungsauflösung: 259 W
Mindestbetriebstemperatur: - 55 °C
Höchstbetriebstemperatur: + 175 °C
Serie: STGW15H120DF2
Verpackung: Rohr
Marke: STMicroelectronics
Kollektor Höchstkontinuitätsstrom Ic: 15 A
Durchlässigkeit des Tor-Emitters: 250 nA
Typ der Ware: IGBT-Transistoren
Paket Menge: 600 Stück
Unterkategorie: IGBT
Einheitsgewicht: 38 g

 

 

STGW15H120DF2 ST IGBT-Transistor 15A Hochgeschwindigkeits-TO-247 0

STGW15H120DF2 ST IGBT-Transistor 15A Hochgeschwindigkeits-TO-247 1