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STGB30H65DFB2 ST Transistor 30 A High Speed HB2 Series IGBT D2PAK-3

STGB30H65DFB2 ST Transistor 30 A Hochgeschwindigkeits-HB2-Serie IGBT D2PAK-3

  • Markieren

    IGBT D2PAK-3

    ,

    StGB30H65DFB2 ST-Transistor

    ,

    30 Ein IGBT-Transistor

  • STMikroelektronik
    Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.
  • Verkapselung
    D2PAK-3
  • Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung
    1,65 V
  • Pd - Energieverschwendung
    167 W
  • Mindestbetriebstemperatur
    -55℃
  • Höchstbetriebstemperatur
    +175℃
  • Verpackende Quantität
    1000 Stück
  • Herkunftsort
    Italien
  • Markenname
    STMicroelectronics
  • Modellnummer
    Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.
  • Min Bestellmenge
    1 PCS
  • Preis
    Negotiated Price
  • Verpackung Informationen
    Spirale
  • Lieferzeit
    24-72hours
  • Zahlungsbedingungen
    T/T, L/C
  • Versorgungsmaterial-Fähigkeit
    10000 PCS+48hours

STGB30H65DFB2 ST Transistor 30 A Hochgeschwindigkeits-HB2-Serie IGBT D2PAK-3

 

STGB30H65DFB2 ST Transistor 30 A Hochgeschwindigkeits-HB2-Serie IGBT D2PAK-3

 

 

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBT-Transistoren
Technologie: Si
Montageart: SMD/SMT
Konfiguration: Einfach
Höchstspannung des Sammlers: 650 V
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung: 1,65 V
Höchstspannung des Tores/Emitters: - 20 V, 20 V
Dauerkollektorstrom bei 25 C: 50 A
Pd-Leistungsauflösung: 167 W
Mindestbetriebstemperatur: - 55 °C
Höchstbetriebstemperatur: + 175 °C
Packung: Spirale
Verpackung: Schnittband
Packung: MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Typ der Ware: IGBT-Transistoren
Paket Menge: 1000 Stück
Unterkategorie: IGBT
Gewicht der Einheit: 1,380 g

 

 

STGB30H65DFB2 ST Transistor 30 A Hochgeschwindigkeits-HB2-Serie IGBT D2PAK-3 0

STGB30H65DFB2 ST Transistor 30 A Hochgeschwindigkeits-HB2-Serie IGBT D2PAK-3 1