Nachricht senden
Eastern Stor International Ltd. 86-755-8322-8551 darren@easternstor.com
EM6K1T2R ROHM MOSFET 2N-CH 30V .1A N-Channel  SOT-563-6

EM6K1T2R ROHM MOSFET 2N-CH 30V.1A N-Kanal SOT-563-6

  • Markieren

    EM6K1T2R

    ,

    SOT-563-6 Integrierte Schaltung Ic

  • ROHM
    EM6K1T2R
  • Paket
    SOT-563-6
  • Anzahl der Kanäle
    Kanal 2
  • Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung
    30 V
  • Id-kontinuierlicher Abfluss
    100 MA
  • PD-Energieableitung
    150 mW
  • Minimale Betriebstemperatur
    -55℃
  • Betriebstemperatur
    +150℃
  • Verpackende Quantität
    8000 PC
  • Herkunftsort
    Japan
  • Markenname
    ROHM
  • Modellnummer
    EM6K1T2R
  • Min Bestellmenge
    1 Stück
  • Preis
    Negotiated Price
  • Verpackung Informationen
    Spule
  • Lieferzeit
    24-72hours
  • Zahlungsbedingungen
    T/T, L/C
  • Versorgungsmaterial-Fähigkeit
    800000 PCS + 48 Stunden

EM6K1T2R ROHM MOSFET 2N-CH 30V.1A N-Kanal SOT-563-6

 

Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die Verwendung von Rohstoffen.

 

 

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: Si
Einbaustil: SMD/SMT
Packung / Kasten: SOT-563-6
Polarität des Transistors: N-Kanal
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Ausfallspannung der Vds-Abflussquelle: 30 V
Id - Dauerstrom: 100 mA
Rds An-Abfluss-Widerstand der Quelle: 7 Ohm
Vgs - Spannung der Torquelle: - 20 V + 20 V
Vgs Thresholdspannung der Torquelle: 1,5 V
Qg-Gate-Ladung: -
Mindestbetriebstemperatur: - 55 °C
Höchstbetriebstemperatur: +150 °C
Pd-Leistungsausfall: 150 mW
Kanalmodus: Erweiterung
Serie: EM6K1
Packung: Spirale
Konfiguration: Doppel
Fallzeit: 35 ns
Höhe: 0,5 mm
Länge: 1,6 mm
Aufstiegszeit: 35 ns
Verpackungsmenge: 8000 Stück
Transistortyp: 2 N-Kanal
Typische Abschaltzeit: 80 ns
Typische Verzögerungszeit: 15 ns
Breite: 1,2 mm
Teilnummer Alias: EM6K1
Einheitsgewicht: 3 mg

 

 

EM6K1T2R ROHM MOSFET 2N-CH 30V.1A N-Kanal SOT-563-6 0

EM6K1T2R ROHM MOSFET 2N-CH 30V.1A N-Kanal SOT-563-6 1