IPP65R190CFD7XKSA1 Infineon Mosfet Hochleistung TO-220-3

IPP65R190CFD7XKSA1 Infineon-MOSFET-Hochleistung NEUE zu 220-3

IPP65R190CFD7

IPP65R190CFD

Hersteller: Infineon
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: Si
Installationsstil: Durch Loch
Packung/Kiste: TO-220-3
Polarität des Transistors: N-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Ausfallspannung der Vds-Abflussquelle: 650 V
Id-kontinuierlicher Abfluss: 12 A
Rds An-Abfluss-Widerstand der Quelle: 190 mOhms
Vgs - Spannung der Torquelle: - 20 V + 20 V
Vgs Thresholdspannung der Torquelle: 4,5 V
Qg-Gate-Ladung: 23 nC
Mindestbetriebstemperatur: - 40 °C
Höchstbetriebstemperatur: +150 °C
Pd-Leistungsverlust: 63 W
Kanalmodus: Erweiterung
Verpackung: Rohr
Verpackungsmenge: 500 Stück
Teilnummer Alias: IPP65R190CFD7 SP005413377